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臺積電:3nm EUV工藝進展順利 已開始接觸早期客戶

52RD.com 2019年7月24日 cnBeta.COM            參與:3人 查看 我來說兩句
  盡管 10 nm 以下芯片制造工藝的突破已經愈加艱難,但以臺積電為代表的業內領先企業,并沒有因此而放緩研發的步伐。該公司上周表示,其 3nm 工藝的開發進展順利。目前看來,臺積電已經摸清了道路,且已經開始接觸早期客戶。在面向投資者和金融分析師的電話會議上,臺積電首席執行官兼聯合主席 CC Wei 宣布了這一消息。
(圖自:TSMC,via AnandTech)
    
  他表示:“我司在 N3 節點的技術開發上進展很順利,并且已經與早期客戶就技術定義進行了接觸。我們希望 3nm 制程可進一步加大臺積電在未來的行業領導地位”。
  
  因 N3 技術仍處于早期開發階段,臺積電目前尚未談及具體的特征、及其相較于 N5 的優勢。該公司稱已評估所有可能的晶體管結構選項,并未客戶提供了非常好的解決方案。
  
  N3 規范正在開發之中,臺積電相信它將滿足其業內領先的合作客戶的要求。事實上,臺積電已確認 N3 將是全新的工藝,而不是 N5 的簡單改進或迭代。
  
  作為該公司主要競爭對手之一的三星,則計劃采用 3nm(3GAAE)技術。同時可以肯定的是,臺積電 3nm 節點將同時使用深紫外(DUV)和極紫外(EUV)光刻設備。
  
  由于臺積電的 N5 工藝使用了 14 層 EUV,因此 N3 使用的層數可能會更高。作為全球最大的半導體合約制造商,其似乎對 EUV 的進展感到非常滿意,并認為該技術對其未來的發展至關重要。52RD.com  微博關注:http://weibo.com/52rd  微信關注:admin_52RD
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2樓 52RD網友 118.251.*.* 發表于 2019/7/27 09:22 回復
1樓 52RD網友說:若干年后會否出現0.1納米級別的芯片?
最高也就1nm,之后量子了。原則的直徑都有1NM
1樓 52RD網友 210.13.*.* 發表于 2019/7/25 17:16 回復
若干年后會否出現0.1納米級別的芯片?
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